在意法-爱立信（ST-Ericsson）商业化无线产品的Roadmap中包含一条，那就是到2012年什么产品会是真正的采用穿透硅通孔（TSV）技术的第一代3D IC，ST-Ericsson无线多媒体部门的一位高级经理Yan Guillou这样说到。

    意法半导体采用TSV 3D互连技术全量产的CIS

    日前在意大利里米尼举行的欧洲微电子与封装会议（EMPC）上Guillou发表了演讲。他概括了手机应用中3D技术的优势。意法微电子（STMicroelectronics）是3D方法的先驱，其采用TSV技术的CMOS图像传感器在全量产中，Guillou表示，ST-Ericsson正在计划更多的3D集成。

    “采用IP区分芯片的方法将会出现，”Guillou说。“随着TSV新技术的实施，将需要对功能进行智能划分，以获得合适的TSV成本/性能的均衡。基于在底部芯片上制作硅中介层（Interposer）的中间步骤很可能被采用，这一层只含有很少的布线和极少的功能。”

    受终端应用中激增的带宽需求，存储器-逻辑器件的堆叠将转向3D互连，他表示。“采用新的存储器-逻辑界面结构，基于更多的I/O方法，带宽的挑战可能被解决。”

    “新的更宽的I/O接口并行接入存储器，能够降低存储器总线的功耗，”Guillou说。“对于蜂窝型手机，在低功耗的DDR2存储器世代后，带宽瓶颈已经被预见到了。”
 
    Guillou表示，多I/O存储器的问题是供应链的标准化。“存储器和逻辑芯片来自不同的公司，因此需要标准化，来使OEM集成商能够整合不同的存储器类型。”目前，主要的供应商正在展开讨论，以达到标准化。

    STMicro已经制作并测试了一款3D样品，里面包含45nm和130nm的芯片堆叠。两个芯片的电路结构都经过了测试，并且性能良好。

    45 nm top die includes SRAM, ROM, and standard cells. 130 nm bottom die includes routing from the top die to the package. 

    顶部芯片采用45nm技术，包含SRAM、ROM和标准单元。底部芯片采用130nm技术，包含了调压器、缓冲器、热传感器和机械传感器、daisy chain（菊花链）和延时链，以及所有的顶部芯片连接到封装的线路。