英特尔已经修复了其新的34nm NAND芯片的BIOS密码问题，并且还发布了3-bit/cell 34nm工艺的芯片。

    受到该缺陷影响的包括购买了英特尔X25-M和X18-M 34nm工艺NAND芯片的用户。如果他们设定并修改的BIOS密码，芯片数据就会不可用。目前已经提供可下载的固件修复程序，其解决了这一令人尴尬的问题。

    X25-M和X18-M均为2-bit/cell的多级单元（MLC）闪存固态硬盘。英特尔与美光的合资企业，英特尔美光Flash技术公司，目前已经在34nm工艺水平上开发出3-bit的MLC芯片。这就增加了芯片的存储容量。3-bit的X25-M如果可以实现生产的话，其存储容量可以达到2-bit X25-M的两倍。3-bit也会降低单个闪存的成本。

    然而，这一开发会降低可靠性，而且英特尔/美光 3-bit MLC的可靠性相对其它闪存驱动器来说还不够好。美光正在测试3-bit MLC芯片的使用。

    SanDisk和东芝公司2月份发布了4-bit的MLC NAND技术月，称其使用43nm进程。对于最高密度闪存可靠性和速度的开发正在走向一种厂商之间的竞赛。与此同时，移动互联网设备，智能电话，netbook，笔记本电脑存储，企业级存储和服务器缓存应用对可靠性的需求越来越高。

    Objective Analysis分析师Jim Handy认为，SanDisk的最新的电话会议显示，SanDisk和东芝公司将有一个32纳米的3-bit芯片，预计将在今年年底发布。他说，美光科技和英特尔："年底会有计划将过渡到下一个制程，一个他们所谓的"2xnm"（20-29nm ）。他们相信，他们的3-bit技术能够在这个过程中被用到。"

    Handy还表示："在2010年的年初，3-bit 3xnm的制造商将会更加地有利可图。"