美国诺发系统（Novellus Systems）成功开发出面向2Xnm以后工艺、基于溅射的铜布线技术。可在没有导入ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）和CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）的情况下，形成高质量的铜晶种层(Seed Layer)。

　　诺发此次通过改良溅射中采用的等离子生成技术，在抑制了悬突（Overhang，嵌入铜的孔开口部因晶种层较厚而缩小的现象）的同时，还改善了台阶覆盖（Step Coverage）。从而优化了离子密度与能量的均衡。由于可降低镀铜前的高宽比，因此在铜嵌入工艺中可轻松抑制空洞（Void）的发生。