Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 RAM (SRAM) 引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统，以及各种基于SRAM的系统设计。

　　FM23MLD16是512K×16 的非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，访问时间为60ns，一个访问周期为115ns。该器件以 ‘无延迟’ (NoDelay)的特点按照总线速度进行读写操作，擦写寿命至少为1E14 (100万亿) 次，并提供10年的数据保存能力。

　　相比需以电池供电的 SRAM (BBSRAM)，FM23MLD16无需电池即可进行数据备份，性能更出众。作为真正的表面封装焊解决方案，FM23MLD16无需象电池备份的SRAM那样需要与电池相关的返工步骤，而且具有更高的耐潮性、抗冲击和抗振动能力，使F-RAM成为要求严苛的工业应用的理想选择。FM23MLD16包含低电压检测功能，当电源|稳压器电压低于临界阈值时，便会阻止对存储器的访问。从而防止存储器在这种情况下出现的不当访问，避免数据破坏。

    此外，FM23MLD16具有通用的与高性能微处理器相连的接口，兼具高速页写模式，能以高达33MHz的速度进行8字节并发(Burst)读写操作。FM23MLD16器件的读/写工作电流为9mA，待机模式下典型电流值仅为180μA，而在整个工业温度范围内 (-40℃至+85℃) 的工作电压为2.7V至3.6V。

　　价格和供货

　　Ramtron 现已提供FM23MLD16的样品，采用符合RoHs指令要求的48脚FBGA封装，订购1万片，单价为29.23美元。