全球NAND闪存的尺寸缩小竞赛再次打响。无论英特尔与美光的联合体,IMFlash,三星及东芝都欲争得NAND缩小的领导地位而互相较劲。但是实际上在目前存储器下降周期时尺寸缩小竞赛并无实际的意义。

    按分析师报告,IMFlash正讨论2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm样品及美光计划利用每单元3位技术于今年第四季度开始量产。

    在DRAM领域,三星一直是技术领导者,目前已作出46nm DRAM样品。

    究竟谁是NAND尺寸缩小的领导者,据今年早些时候报道,东芝与新帝合资公司己走在前列,尺寸小到32纳米。

    目前英特尔与美光联合体正计划重新夺回领导地位,近期己推出34纳米NAND芯片。

    近期美光也准备推出2x nm NAND产品。按美光发言人说不仅是推出样品,而是计划今年Q4开始试产。

    据Gartner分析师报告,美光己完成34纳米的工艺转移,并预计可节省成本35%。而IMFlash也正过渡到3x nm工艺。

    IMFlash计划于第三季末或第四季度初加紧向2x nm工艺过渡,而达到成本节省目的。美光也计划于第四季度开始每单元3位技术的NAND闪存生产,估计产量小于10%。

    事情并没有结束,三星也己开始42纳米NAND闪存供货。

    依巴克莱投资公司报告,从数量计,三星的42纳米产品与5x 纳米混在一起计达30%,但是为了与东芝的32纳米及美光的34纳米竞争,三星正加紧3x 纳米的出货。

    另外两家,海力士及恒忆也在紧追,最近也推出41纳米NAND产品。

    DRAM领导者?

    在DRAM领域,三星也不示弱,从2008年开始己经产出56纳米产品(占今日生产的50%)。目前已开始试制46纳米样品,并计划在09年底,随着5x纳米产品持续增加,其全部100%产能在68纳米之下。另一点有些不同,三星计划在今年Q3/Q4实现DDR3及DDR2的交替。

    目前DRAM最新消息,美光是50纳米,三星及海力士分别为58及54纳米。

    尔必达报道已完成50纳米DDR3的SDRAM研发,这是一种新的低功耗DRAM芯片。

    业界有人认为存储器尺寸缩小并没有实际意义,目前存储器的运行模式己经断裂。即过去依靠cash flow推动投资,现在己经失效。如此下去势必推动工业进一步兼并。

    Gartner分析师认为目前DRAM仍有市场需求及价格问题,与过去三周的另售价比,上周1Gb存储器的价格为1,28美元,稍下降0,7%。

    由于PC市场仍显弱,相当于主流1Gb器件的价格为1,09美元,下降0,9%,反映市场仍处困难时期。

    由于8Gb闪存价格有点上升,与之相反16Gb及32Gb NAND闪存的另售价稍有回落,总体上NAND价格较平穩,Gartner预计将进一步对于低密度的16Gb闪存产生压力。