欧洲将投资一百万欧元来进行锑化物(antimonide)量子点在数据存储应用上的研究。这个欧洲学术联合研究计划将于六月开跑，研究以三五族(III-V)量子点为基础的组件，做为继承闪存(flash memory)的选择。

    这个为期三年的研究计划是由德国杜伊斯堡艾深大学(University of Duisburg-Essen)主导，另外三个研究机构分别为德国柏林工业大学(Technical University of Berlin)、荷兰的恩荷芬科技大学(Technical University of Eindhoven)及英国的兰开斯特大学(Lancaster University)。计划名称为“单量子点耦合到二维系统”(Coupling of single quantum dots to two-dimensional systems)，简称QD2D。

    兰开斯特大学的Manus Hayne表示，此计划的目的是研究室温下单量子点的详细特性，以利了解电荷式内存(charge-based memory)的最大存储极限。仅管目前闪存十分热门，但其数据写入的速度太慢，而且最后会危害到它使用的硅芯片，因此科学家一直在寻找其它出路。

    QD2D型的内存发展的方向，是利用宽能隙的砷化镓(GaAs)来包围窄能隙的锑化镓(GaSb)量子点。量子点的行为类似位能井，可以存储电荷，数据存储方式与硅闪存将电荷放在两个相邻氧化硅位障内相似。

    Hayne表示，此设计可以将写入速度提升到闪存的1000倍以上，但数据删除的速度仍然很慢，不过这点或许可借助芯片设计加以排除。QD2D计划的合作伙伴也提出另一个目前主流内存DRAM的取代方案，其速度约快10倍。

    Hayne指出，闪存制造商不断地将硅晶圆上的微影线宽变小，以提升数据的存储量，然而摩尔定律的适用性预计会在2014年达到临界点。这时候内存制造商就真的需要一个新的解决方式。相变化内存(Phase change memory)将是个热门的方向，然而其相关问题仍待解决，而内存制造商将继续寻求更多的可能性。