法国SOI（绝缘层上硅）基板厂商Soitec Group开发出了300mm的极薄型SOI晶圆制造技术。对于该晶圆采用22nm以及更精细的CMOS工艺技术来制造完全耗尽型SOI元件的准备工作也已就绪。 　　

    Soitec在2008年的“SEMICON West”上发布了300mm极薄型SOI晶圆平台。之后，该公司致力于晶圆与工艺的优化，以及如何获得公司内部及客户对晶圆的认可。制造工艺采用了该公司的“Smart Cut”技术，能够通过采用SOI底板特定参数的应用程序来进行调整。 　　

    此次开发的SOI晶圆的硅层厚度为20nm，膜厚均匀性为±0.5nm以内。另外，此次还试制了具有高介电率（high-k）及金属栅极层叠结构、栅极长25nm的完全耗尽型SOI晶体管，实证结果表明，这种结构远远优于原来的块状硅结构。