开关电源EMI整改中，关于不同频段干扰原因及抑制办法：
1MHz以内：以差模干扰为主 1.增大X电容量；
2.添加差模电感；
3.小功率电源可采用PI型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。
1MHz～5MHz：差模共模混合 采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，
1.对于差模干扰超标可调整X电容量,添加差模电感器，调差模电感量;
2.对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来抑制；
3.也可改变整流二极管特性来处理,对快速二极管如FR107,对普通整流二极管
1N4007。
5MHz以上：以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法 对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHz以上干扰有较大的衰减作用;
可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.
处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
对于20～30MHz: 1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；
2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；
3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
4.改变PCB LAYOUT；
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
7.在变压器与
MOSFET之间加BEAD CORE；
8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。
9. 可以用增大MOS驱动电阻.
30～50MHz 普遍是MOS管高速开通关断引起: 1.可以用增大MOS驱动电阻；
2.RCD缓冲电路采用
1N4007慢管；
3.VCC供电电压用
1N4007慢管来解决；
4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；
5.在
MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
6.在变压器与
MOSFET之间加BEAD CORE；
7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
8.PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；
9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50～100MHz 普遍是输出整流管反向恢复电流引起: 1.可以在整流管上串磁珠；
2.调整输出整流管的吸收电路参数；
3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗,如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻；
4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET; 铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。
5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射.
200MHz以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI标准。
补充说明:
开关电源高频变压器初次间一般是屏蔽层的,以上未加缀述.
开关电源是高频产品,PCB的元器件布局对EMI.,请密切注意此点.
开关电源若有机械外壳,外壳的结构对辐射有很大的影响,请密切注意此点.
主开关管,主二极管不同的生产厂家参数有一定的差异,对EMC有一定的影响.请密切注意此点。
