首先，产业化的核心技术与专利缺乏，研发投入不足，研究力量分散，缺少产业化的国家公共研发平台。

　　我国外延材料的核心技术研究仍处于弱势，生产外延材料的MOCVD(化学气相沉积设备)核心装备也高度依赖进口，无法支撑外延核心技术、工艺和方法的持续创新，并且制造成本高。半导体照明外延材料的研发，不仅在设备与原料上投入很高，而且还是一项"人与机器结合"不断摸索的艰苦工作。与国外相比，我国研究投入明显不足，研究力量又分散，研究工作也缺乏连续性，再加上设备、技术、信息不能有效共享等问题，造成核心关键技术的研发没有形成合力，缺少能够有效地对单项技术集成和促进工艺上、工程上成熟的产业化支撑平台，无法形成自主创新资源的合理配置和集中投入。

　　其次，产业链发展不均衡，企业规模偏小、创新能力弱，高端市场被国际公司占据。

　　我国LED产业虽然先后实现了自主生产器件、芯片和外延片，但自产的LED外延、芯片仍以中、低档为主，产业化规模偏小，80%以上的高亮功率型LED芯片、器件还是依赖进口。由于技术进步速度加快，大规模应用市场正在形成，所以急需上、中游规模化生产能力的扩大和产品性能的提高。目前虽然民间资本介入较快，但与国外相比企业规模较小，形不成竞争优势和品牌，并且技术创新能力与承担风险能力都远远不够，因此高端外延、芯片市场仍然被国际几大巨头垄断。

　　再次，标准与检测体系不完善，缺乏权威检测平台。

　　由于半导体照明技术进步快，涉及行业多，处在多学科交叉的产业边缘地带，以及在检测设备、检测方法的研发等方面没有足够的投入，导致半导体照明的标准与检测体系尚未形成，也没有针对半导体照明产品的权威检测平台。由于LED产品的技术差异性极大，又没有专业权威、统一的测试机构与认证标准，加之地方政府示范心切，且又急于发展地方的企业，导致产品质量良莠不齐，严重影响消费者的信心。

　　最后，缺乏针对光电产业发展的政策。

　　美国、日本、欧盟等采取了一系列措施来促进半导体照明的应用和推广。与国外相比，我国尚没有相关的产业促进政策出台或没有实施细则，缺乏支持产业发展的相应措施。特别是核心装备和关键原材料高度依赖进口，过高的进口关税及增值税，严重影响了国内上游外延芯片企业制造成本的降低和规模的扩大。