Sandia国家实验室正在开发一种新型的、可扩展性、成本效益的生长技术，用于生产低位错密度（low dislocation density）的大块GaN衬底。这项成果将影响LED灯的效率和寿命，当前的相关技术是采用蓝宝石和碳化硅衬底的外延方法，导致了高位错密度。Sandia团队成功演示了新的大块氮化镓生长工艺，该团队将继续开发这项技术，制造出更大的氮化镓衬底，当前因为缺乏大衬底限制了效率和LED的成本。