安森美半导体(ON Semiconductor)日前与LSI公司达成的协议，进一步扩充ASIC系列。这协议让安森美半导体的客户能够通过设在美国俄勒冈州Gresham的安森美半导体晶圆制造厂，获得成熟及高性价比的110纳米工艺技术，及相关的经过硅验证的知识产权(IP)。

    该110纳米“系统平台”SP110为客户提供高密度、高性能的技术，并比类似技术将一次性工程(NRE)成本减至最低，且将上市时间缩至最短。SP110最高的工作频率为450兆赫， IP阵容丰富，能够满足90纳米或更小节点技术的众多性能和功能要求，省却这些技术的开发成本及工艺经常费用。此外，SP110提供比某些主流130纳米技术更优的性能及更低的能耗。

    SP110结合工艺优势、丰富的IP选择及技术支援，满足通信、消费、工业及医疗等市场的客户需求。SP110方案非常贴合军事及航空应用，充分发挥基于美国的设计和制造优势，端到端地符合国际武器贸易规章(ITAR)要求，还会遵从QML和AS9100等专门的军事/航空质量标准。

    根据与LSI达成的协议条款，安森美半导体将提供广泛的IP系列，包括支持PCI Express、千兆位以太网(GbE)和10Gbps连接单元接口(XAUI)等接口标准的串行解串器(SerDes)方案。SP110客户还将能够利用安森美半导体其它经过硅验证、可综合的IP阵容，包括用于USB 2.0、以太网媒体访问控制器(MAC)、微控制器、时序产生器和DDR 1/2/3存储器控制器等的IP模块。

    SP110利用低K铜互连技术，提供达9个金属层，包括2个重分布层(RDL)。该技术支持1.2V的内核电压及1.8V、2.5V、3.3V和5.0V的输入/输出(I/O)电压。安森美半导体提供SP110的网表及寄存器传输级(RTL)交递法，确保为设计人员提供最大的灵活性。