全球微机电系统(MEMS)产业蚀刻和沉积设备供应商Point 35 Microstructures公司，日前在上海宣布推出汽相氧化物释放蚀刻模块，进一步扩展其微机电系统(MEMS) 单晶圆制造memsstar产品系列。这项新增的技术将确保MEMS器件设计师得到更多的生产选择，同时带来了宽泛的制造工艺窗口和各种工艺控制等等好处，从而使良率得到了最大的提升。
SVR-vHF氧化物释放模块结合现有的memsstar SVR-Xe 牺牲性汽相释放(SVR)模块，利用无水氢氟蒸汽(aHF)来去除牺牲氧化物，从而释放MEMS机械结构。
随着memsstar系列中增添新型SVR-vHF模块，以及现有SVR-Xe模块，可为器件设计师们提供了更大的自由度，使其可以在特定的器件技术下选择最优的工艺集成方案。在memsstar基于蒸汽的工艺流程里，在SVR工艺后紧随着由等离子体实现的表面准备和沉积工艺 (SPD)，可保护器件完全不受黏附的影响，从而增加了器件的功能良率。
这项新工艺在尺寸最高达200mm的晶圆上，实现了无以伦比的蚀刻率和卓越的均匀度。现可提供的配置涵盖了手动装载、单晶圆装载锁定，一直到全流程完全自动化、盒式装载集群系统。
与传统的基于湿法化学的蚀刻工艺相比，SVR蚀刻方法以可完全地去除牺牲材料而不损害机械结构或导致黏附而著称；它同时提供了高度的可选择性、可重复性和均匀性。SVR保留有干燥的表面，没有任何残留物或水汽，这也省去了包含在湿法工艺中的表面准备、引入酸、中和以及随后的干燥等步骤。
SVR与CMOS工艺和CMOS晶圆设施是兼容的，这使得MEMS器件可以像传统的集成电路一样在相同的设施和基板上进行生产，这也将适用于新类型的单片MEMS/CMOS 器件。SVR进一步的好处包括减少材料的使用和更低的浪费。
