恩智浦半导体（NXP Semiconductors，由飞利浦创建的独立半导体公司）扩张其业界领先的RF Power 晶体管产品线，推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下简称LDMOS)晶体管，该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。

　　针对大范围的L波段雷达应用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准（漏极效率大于50%）、增益（17dB）和达500W的耐用度。

　　恩智浦半导体RF功率产品线全球产品市场经理Mark Murphy表示：“作为首个推出L波段和S波段应用的LDMOS的公司，恩智浦高效LDMOS RF功率晶体管产品线建立了一个崭新的业界标准，为我们的客户提供市场上表现最优异和最耐用的晶体管。RF输出功率达到500W这个突破，是恩智浦通力合作、贴近客户需求的结果，使我们推出了可缩短上市时间的易于进行设计导入的晶体管。

　　恩智浦L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现

　　参数包括：

　　500W峰值输出功率（在1.4GHz,100?s脉冲宽度，25%占空比时）

　　17dB增益

　　50%漏极效率

　　更佳耐用度

　　能够承受高达5dB的过驱动能力

　　更佳脉冲顶降 （低于0.2dB）

　　供电电压50V

　　无毒封装、符合RoHs标准