这是读取ROM内容的操作。一旦CE有效（低电平），则芯片处于使能（选择）状态，通过使OE有效，向外部输出ROM内容的输出缓冲器将处于使能状态。利用17根地址总线（A₀～A₁₆），在128KB中指定所希望读出的那个比特位。

　　如果在这种状态下等待数据的读出，则DQ₀～DQ₇中将出现数据，外部电路的CPU将提取这些数据进行操作。因为并没有利用PGM及V_PP端口，所以无论是高电平还是低电平都无关紧要。关于读操作的细节我们将在后面进行叙述。