FSI国际有限公司日前宣布推出全新的ORION单晶圆清洗系统。该系统特有的闭室设计可实现对晶圆环境的完全控制和维护，满足32nm和22nm技术的关键步骤上多项清洗需要。其中包括减少在超浅层注入后的光刻胶去除的材料损失，避免在高介电系数金属栅和与包含包覆层金属连接的铜的电偶腐蚀和材料损失。

　　“ORION系统特有的闭室设计允许使用可挥发的高活性化学材料，亦如我们的ViPR技术在32nm器件制造中的单步、全湿法去除高度注入的光刻胶，”FSI产品管理兼市场副总裁Scott Becker博士解释。“省去灰化工艺，我们不仅将材料损失减少了10倍，同时还缩短了制造周期、降低工艺复杂性、机台数量以及工艺步骤。闭室设计还帮助我们有效排除氧气进入晶圆环境，因为氧气成分是造成在高介电金属栅、铜与钴或其它包覆层内的金属材料的损失和腐蚀的重要原因。”