微机电系统(MEMS)在1954年由贝尔实验室的CharlesSmith通过硅的压阻效应发明，在不到十年之前，在新泽西的同一个贝尔实验室，JohnBardeen和其团队发明了晶体管-现代半导体时代的基础。

　　尽管MEMS和半导体集成电路芯片处理过程类似，但它们的商业化却在发明后的随后的50年内千差万别，集成电路市场已经成长到超过2200亿美元，而MEMS市场据报告总量还低于100亿美元，差异是为何这么大呢？

　　很多产品从发明到完全商用化需要花费时间和资源，直到1990年首款基于压阻效应的MEMS压力传感器才得以商用。在90年代初，加速传感器在轿车气囊中得以采用，与1970年代压力传感器在汽车电控引擎控制中得到采用一样，这是个非常大的胜利。

　　用于气囊的加速器芯片显示了传感器和ASIC的爆发。

　　众多的MEMS器件在近年来得以商用化-主要原因是MEMS价格下降了，我们已经看到了集成的MEMS扩音器、加速器、显示和RF器件，它们在便携式设备（如手机）和游戏机（如Wii）等设备上采用。

　　每一年我们统计MEMS产业方面的14个重要的胜利，并创造了一个“MEMS商用报告卡片”，从A到D标明其重要性。

　　下面是2007年报告中的重要发现，该报告通过采访全球超过50家的MEMS供应商，使用者和设备提供商得到（2008年的报告会在2009年初发布）。

　　2007的报告卡级别是“B-”，但分开来看，各项级别都不一样。MEMS已经进入了工业和消费产品的各个大的领域，最终会集成到我们日常生活接触到的方方面面的产品。

　　产业基础架构的革新：A-

　　MEMS基础架构的发展从1998年以来的C+级别达到了07年的A-级别。

　　MEMS基础架构的发展与半导体工业发展的轨迹很相似，主要的厂商（实际上就是过去五年来的MEMS初创厂商）都采用了无晶圆或轻晶圆模式。

　　台湾代工厂商联电（UMC）展示了28nm制程的SRAM芯片，为推出28nm制程奠定基础。该技术既支持高k金属栅也支持二氧化硅制程。

　　UMC在300mm晶圆厂中进行28nm制程的研发，晶体管密度是40nm制程的两倍。在28nm平台上，UMC也同样接受定制的32nm代工业务。目前28nm/32nm制程时间表尚未公布。

　　此前，UMC的竞争对手台积电（TSMC）也发布了28nm制程，IBM也已推出了22nmSRAM。

　　UMC的28nm制程基于其低漏电流工艺技术，采用双版沉浸式光刻及应变硅技术，6管SRAM单元面积约为0.122平方微米。

　　和TSMC一样，UMC支持两种栅技术，支持面向便携式产品的传统硅栅/硅氧氮栅技术以及支持面向图形芯片、高速通讯IC的高k金属栅技术。