台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。

　　该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始量产的28nm工艺仍将采用193nm波长的液浸ArF曝光技术。而在接下来的22nm工艺中，将讨论使用以下三个候选方案。（1）193nm波长的液浸ArF曝光技术，（2）EUV曝光技术（NA 0.25），（3）电子束直描技术。

　　不过，到15nm工艺时，将无法使用193nm波长的液浸ArF曝光技术。TSMC表示，15nm工艺将考虑选用电子束直描或EUV曝光技术（NA 0.35）。 台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。

　　该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始量产的28nm工艺仍将采用193nm波长的液浸ArF曝光技术。而在接下来的22nm工艺中，将讨论使用以下三个候选方案。（1）193nm波长的液浸ArF曝光技术，（2）EUV曝光技术（NA 0.25），（3）电子束直描技术。

　　不过，到15nm工艺时，将无法使用193nm波长的液浸ArF曝光技术。TSMC表示，15nm工艺将考虑选用电子束直描或EUV曝光技术（NA 0.35）。