松下与瑞萨科技宣布，在两公司一直在共同推进的32nm系统LSI用半导体工艺技术开发方面，确立了32nm晶体管技术等的量产应用目标。两公司计划将该技术应用于便携产品及数字家电用系统LSI。

　　此次，两公司开发的是具有高介电率（high-k）栅极绝缘膜及金属栅极堆栈结构的晶体管技术以及采用超低介电率（low-k）材料的布线技术。作为32nm工艺的互补型金属绝缘体半导体（Complementary Metal Insulator Semiconductor：CMIS）技术，是由原具有硅氧化膜类栅极绝缘膜的晶体管结构发展而来，是对具有high-k栅极绝缘膜及金属栅极堆栈结构的晶体管，在最适宜的条件下，追加原子级超薄膜覆盖层而成。经确认，通过导入该覆盖层，提高了晶体管可靠性的实用水平，并可抑制为驱动大规模电路所产生的晶体管间的电力特性不均。

　　两公司从1998年开始，一直在共同推进新一代系统LSI的相关工艺技术的开发。2001年开发了130nm DRAM混载工艺，02年开发了90nm系统LSI工艺，04年开发了90nm DRAM混载工艺，05年开发了65nm系统LSI工艺，07年开发了45nm系统LSI工艺。