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  • TDK使用TMR元件和离散轨道介质获得803Gbit/平方英寸的记录密度
    http://www.ic72.com 发布时间:2008/10/14 16:01:00

      TDK证实了硬盘面记录密度方面全球最高的803Gbit/平方英寸的记录与播放。线记录密度为1771kBPI,轨道密度为454kTPI,轨道间隔为56nm。1.8英寸硬盘的单板双面盘片容量约相当于260GB。

      磁头和介质的构成与2007年公布的一样,磁头为采用MgO绝缘膜的TMR磁头、介质为离散轨道介质的组合(参阅本站报道)。使用的介质以昭和电工的垂直磁记录硬盘为基础,由TDK加工成离散轨道介质。

      记录密度提高的主要原因是,降低播放磁头TMR元件结电阻(RA)值的同时,把MR比提高至80%多。“密度达到1Tbit/平方英寸之前均可使用TMR元件”(TDK科技组SQ研究所所长田上胜通)。一般情况下,TMR元件如果在提高轨道密度的同时缩小元件的话,会因元件电阻值增大而难以高速读取数据。因此,一般认为在面记录密度达到1Tbit/平方英寸之前,要使用电阻值比TMR元件低的CPP-GMR元件。


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