据化合物半导体与光电技术网站报道，德国沉积设备厂商AIXTRON AG宣布位于台湾台中的HPO公司（High Power Opto Inc.）在今年Q2期间下订单，订购一套AIX 2800G4 HT MOCVD系统，芯片配置是42x2英寸，用于批量生产超高亮度（UHB）的GaN LED。设备定于明年首季运送至HPO的先进工厂之内。

　　HPO的CEO黄教授（K.H. Huang）声称，这套新的设备是战略计划中的重要组成部分，他们利用AIX 2600G3行星式反应器在生产超高亮度AlGaInP红光LED，这是市面上最亮的产品；现在他们计划在超高亮度蓝绿光GaN LED上获取同样的成功。而新的AIX 2800G4 HT MOCVD系统将使得HPO摆脱外包外延片的现状。

　　黄教授相信，他们将利用AIX 2800G4 HT实践他们的GaN MOCVD工艺方案，提高现有俄LED性能至最高水平。