周四，NEC和IBM签署协议，联合开发下一代半导体制造工艺技术，其中包括参与IBM的32纳米以及今后22纳米芯片工艺的开发。

　　目前，英特尔和AMD正在市场上推广45纳米芯片。

　　一般来说，制造工艺越小，芯片速度越快，而且更省电。

　　IBM拥有雄厚的芯片制造实力，它在纽约East Fishkill半导体工厂、奥尔巴尼大学纳米科学与工程学院以及纽约州立大学均设立有庞大的芯片研究机构。

　　芯片制程工艺技术正在成为芯片研发的核心领域，芯片巨头英特尔已经投入数十亿美元进行研发。AMD也在不久之前宣布，将为纽约Malta工厂投入30亿美元的研发资金。AMD也与IBM合作进行芯片研发。

　　IBM的合作伙伴还包括新加坡的特许半导体，Freescale，英飞凌，三星，STMicroelectronics和东芝。

　　目前，NEC和东芝联合开发45纳米与32纳米CMOS制造工艺，NEC称，与IBM的合作将进一步增强公司在这方面的实力。

　　借助IBM，NEC将特别开发一种通用制造平台以及加强“系统芯片”（SOC）方面开发与设计实力，SOC是一种高集成度的芯片技术，其产品被广泛应用于手机与消费电子产品当中。

　　NEC公司CEO Nakajima说：“与IBM达成的新合同意味着NEC电子将携手行业领导者开发一种通用半导体制造平台，它还允许我们首次将研发重点放在eDRAM以及SOC解决方案上，从而为我们的客户提供附加值。”

　　eDRAM被称为“嵌入式DRAM”，它是一种高速内存，被整合与芯片内部，这和传统的DRAM设计在处理器外部不同。eDRAM能够被应用在SOC设计当中。

　　年初，IBM和合作伙伴们公布了“高K/金属栅极”（high-k/metal gate）技术，英特尔也在使用这项技术。

　　通过在32纳米制程技术中融入高K/金属栅极，IBM阵营宣称，芯片性能比45纳米技术在同样耗电情况下提升了35%。IBM称，根据工作电压的不同，32纳米技术比45纳米技术可以节省30%至50%的耗电。