日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 IGBT 技术。GA100TS60SFPBF和GA200HS60S1PBF采用标准穿通 (PT) IGBT 技术，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPBF及 GA100TS120UPBF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。GB100TS60NPbF、GB150TS60NPbF及GB200TS60NPbF模块采用第 5 代非穿通 (NPT) 技术，可实现 10μs 短路功能的额外优势。
其中GA100TS60SFPBF和GA200HS60S1PBF是专为高达 1kHz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件；其他六个 IGBT 是与用于桥配置的 HEXFRED? 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块，这些超快速器件可在硬开关中实现 8kHz～60kHz 的高工作频率，在共振模式下可实现 200kHz 以上的工作频率。
VISHAY 此次推出的全新 IGBT 系列具有 75A～200A 的高额定电流及低功耗，该系列器件专为高频工业焊接、UPS、SMPS、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。特别在输出逆变器 TIG 焊机应用中，这些 IGBT在额定电流时提供了当前市场上“S”系列模块中最低的 Vce(on) 。
上述全新 IGBT 系列器件均采用无铅 (Pb)化工艺，可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低 EMI，可减少缓冲，并可提供超低的结到外壳热阻。
器件规格表：
|
P/N |
速度 |
技术 |
电压 |
IC |
VCE(ON) 典型. |
|
GA100TS60SFPBF |
标准 |
第 4 代 PT |
600 V |
100 A |
1.39 V |
|
GA200HS60S1PBF |
标准 |
第 4 代 PT |
600 V |
200 A |
1.13 V |
|
GA200TS60UPbF |
超快速 |
第 4 代 PT |
600 V |
200 A |
1.74 V |
|
超快速 |
第 4 代 PT |
1200 V |
75 A |
2.5 V | |
|
GA100TS120UPBF |
超快速 |
第 4 代 PT |
1200 V |
100 A |
2.25 V |
|
GB100TS60NPbF |
超快速 |
第 5 代 NPT |
600 V |
100 A |
2.6 V |
|
GB150TS60NPbF |
超快速 |
第 5 代 NPT |
600 V |
150 A |
2.64 V |
|
GB200TS60NPbF |
超快速 |
第 5 代 NPT |
600 V |
200 A |
2.6 V |
