韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）开发成功了存储容量16GB的DDR3 2-Rank Registered DIMM（R-DIMM）“HMT32GR7AER4C-GD”和8GB的DDR3 2-Rank R-DIMM“HMT31GR7AER4C-GC”（英文发布资料）。新产品使用美国MetaRAM的“DDR3 MetaSDRAM”技术实现。使用此次的DIMM，在不降低性能的情况下，DDR3的每一个通道的存储容量可提高到原来的3倍。可用于服务器和工作站。

　　DDR3 MetaSDRAM是与MetaRAM公司用于DDR2 R-DIMM的“MetaSDRAM”类似的技术。通过使用DDR3 MetaSDRAM技术，并利用目前市场上主流的1GB DDR3 SDRAM芯片，可低成本构成大容量的DIMM。并且，数据传输速度也没有降低。

　　美国英特尔在2008年8月19～21日于美国旧金山召开的开发人员会议“Intel Developer Forum 2008 Fall”上，使用海力士此次开发的产品进行了现场演示。