意法半导体（STMicroelectronics）与英特尔合资公司、从事非易失性内存的瑞士Numonyx B.V.公司，于2008年7月31日介绍了该公司的业务战略。该公司总裁兼首席执行官Brian L.Harrison表示：“在打入亚洲嵌入内存市场的过程中，日本将扮演重要的角色”，表明了该公司致力于开发日本市场的方针。

　　Numonyx瞄准的非易失性内存市场主要为手机用与家电、汽车用等两种嵌入产品。其中，该公司在手机用非易失性内存市场上份额居首，但在嵌入领域仅居第二位。因此，除手机市场外，今后该公司还准备加大对嵌入产品市场的投入。另外，2007年在非易失性内存市场上，该公司在韩国三星电子、东芝之后，列第3位。

　　嵌入产品用非易失性内存的全球市场，NOR闪存为37亿美元，NAND闪存为21亿美元。2008年的NOR闪存市场分地区看，亚洲占一半以上，日本仅占不到20％。然而日本是家电、汽车等嵌入领域的技术领头羊，对于亚洲的产品设计有巨大的影响力，所以“日本市场是亚洲的大门 ”（Harrison）。因此，Numonyx在日本设立了面向嵌入产品的业务单元，并在不断增加人员。

　　今后，该公司将把多值65nm工艺NOR闪存“StrataFlash”作为嵌入用产品的主力。一方面，将面向手机用途投放支持节能DRAM接口“LP DDR”的NOR闪存“Velocity LP”。统一闪存与DRAM的接口，降低系统成本。而且，这一隐含着统一更换闪存和DRAM的可能性的架构，向相变内存（PCM）过渡也比较有利。

　　关于相变内存，该公司已于2008年2月，向部分特定用户供应了利用90nm工艺制造的128Mbit相变内存样品。计划2009年转入量产。并且，该公司今后将考虑以相变内存替代NOR闪存、E2PROM、NAND闪存和DRAM的业务。但是，正如过去E2PROM没有在闪存问世时消失一样，该公司认为相变内存与其他内存也将维持共存。希望利用相变内存可高速读写及以比特为单位改写数据等特点，开拓出新用途。

　　除内部工厂外，Numonyx还与母公司工厂签订了供货合同。该公司支持200mm晶圆的工厂有以色列的“Fab1”和新加坡的 “Fab2”。而支持300mm晶圆的工厂，该公司与韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）在无锡开设了合资工厂，并计划在意大利卡塔尼亚开设“Fab3”。今后，将把生产从母公司工厂逐步向自有工厂转移，加快微细化进程。

　　另外，该公司已与尔必达内存就NOR闪存生产外包达成了基本协议。尔必达将从2009年底开始制造65nm工艺NOR闪存，并逐步向45nm工艺过渡。对于45nm工艺NOR闪存，不同于大多数LSI厂商采用的液浸 ArF光刻，尔必达将使用低成本的干法光刻。Numonyx表示，选择尔必达内存作为合作伙伴的原因是尔必达的代工战略与该公司的思路一致，并且拥有以干法光刻为代表的高超技术能力。