全球IC制造晶圆清洗系统厂商FSI国际有限公司日前发布了一篇由海力士半导体有限公司、Varian半导体设备有限公司、Nanometrics有限公司和FSI联合提交的论文，该论文证实了带有ViPR技术的ZETA 喷雾式清洗系统是超高剂量等离子体掺杂（PLAD）离子注入工艺集成的关键步骤。这一篇论文发表于2008年6月8日至13日在加利福尼亚州蒙特利尔举办的，第17届国际离子注入技术大会上。与传统技术相比，ViPR工艺具有去除暴露在高剂量离子轰击而硬化的光刻胶、同时不会造成表面损伤和材料损失的独特能力。
“我们为取得这样的成功而激动不已，尤其是我们的ViPR技术在关键的高剂量应用中所发挥的致关重要的作用，如双闸极动态随机存取存储器（DRAM）。”FSI董事长兼首席执行官Don Mitchell说道。“通过采用单一步骤工艺，我们不仅可以大大减少因多步骤、湿洗-灰化-湿洗方法所造成的材料损失，还可以降低成本、时间和工艺的复杂性。”
PLAD离子注入可以帮助制造商继续缩小器件的线宽，但使用传统的灰化-湿法工艺很难将光刻胶去除。过去采用的湿法-灰化-湿法三步工艺解决了这一难题，但是在后续工序中所造成的材料损失却难以接受。FSI特有的单步全湿法工艺ViPR技术，提高了晶圆表面化学品温度和反应能力，确保了完全去除由PLAD工艺产生的光刻胶和多掺杂物表面层，同时最大限度地保留掺杂物。由于免去了灰化和灰化清洗步骤，从而产生了这样的一种工艺，它实现了更快、更简单和更低的拥有成本。）
细节描述请参见第17届国际离子注入技术大会论文集中Y. Jeon,等人的《超高剂量注入CMOS应用的关键技术》一文，该文摘要可通过FSI网站索要，完整论文将于2008年秋天由美国物理学会在会议论文集中出版。
关于FSI：
FSI国际有限公司是一家为微电子制造提供表面处理设备技术及支持服务的全球性的供应商。通过使用公司产品组合中的多晶圆批量和单晶圆的浸泡式、旋转喷雾式、汽相和超凝态过冷动力学等一整套清洗技术产品，客户能够实现他们的工艺性能、灵活性和生产能力目标。公司推出的支持服务项目包括了产品及工艺的提升，从而延长已安装的FSI设备的使用寿命，使世界范围内的客户的资本投资获得更高的回报。
