据日经BP社报道，NEC与NEC电子共同开发了32nm工艺以后的高速大容量内存混载SoC（system on a chip）的低成本制造方法。该技术可以以1种金属栅极，实现逻辑与部分内存必需的3种阈值电压。

　　该方法的原理是在NiSi2栅极和SiON栅极绝缘膜界面上偏析杂质，通过改变栅极功率函数，把构成逻辑部分和内存一部分的MOS FET的阈值电压设定为目标值。由于逻辑部分重视驱动能力，需要较低的阈值电压，栅极功率函数设定在能带边缘附近。而内存部分重视低漏电流，需要高阈值电压，所以栅极功率函数设定在中间带隙附近。nMOS和pMOS的逻辑部分需要设定为不同的阈值电压。迄今为止，尚无利用1种金属栅极实现了3种阈值电压的先例。

　　通过采用金属栅极，与以前使用的多晶硅栅极相比，逻辑部分和内存（SRAM）部分工作时的耗电量分别下降了15％和30％。