Microsemi Corporation推出一个新的谐振模式组合绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和一个新的低VF超软恢复二极管系列，以扩展它的大功率半导体器件产品系列。

　　12个新的专用组合IGBT是为大功率和高性能应用而设计的器件，其拓扑能用于谐振模式和相移桥的开关工作，实现零电压(ZVS)和零电流(ZCS)开关转换。该系列产品的输入电压为600V和1200V，能进行高速的开关转换，内部具有并联的续流二极管，有助于降低系统的导通损耗。

　　该系列器件产品典型应用在功率等于或小于5000瓦的焊接、感应加热、电信和医疗设备中。

　　Microsemi的8个新的DL系列低VF超软恢复二极管是设计用在具有输出整流的电路或其它诸如相移桥的谐振模式电路中的。它们的超软恢复特性可以使缓冲器最小化，甚至不再需要缓冲器，并使EMI最小化；而同时由于它们的正向电压低，使得导通损耗降低。600V系列的产品包括有单器件、双器件和共阴极的结构形式。

　　“我们部门的着重点是为设计高电压、大功率和高性能应用的工程师提供一个范围充分宽阔的半导体解决方案，”在美国Bend，Oregon的Microsemi功率产品部的总经理Russell Crecraft表示，“基于这个考虑，我们会不断持续地进行市场跟踪和调查，以寻找机会扩展我们的产品系列，这些新的IGBT和二极管产品可以作为一个示范。”