Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管，用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX产品，其性能级别进一步证实了Cree在GaN技术上的的领导地位。

　　新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括：

　　1. 相比于类似功率级的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
　
　　2. 相比于商业可用硅LDMOS，提高了工作频率

　　3. 在免授权的5.8GHz ISM（工业，科学与医疗）频段和5.3GHz与5.47GHz U-NII（不需许可的国家信息基础构架）频段内的工作性能

　　4. 在平均功率低于25%流失率的WiMAX信号，高于2.5% EVM优越的线性性，覆盖5.5-5.8GHz瞬时频带。