据报道，日本产业技术综合研究所（产综研）与东京大学，联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上，写入电压为6V以下。而此前的NAND闪存存储单元只能擦写1万次，且写入电压为20V。以往的NAND闪存只能微细化到30nm左右，而此次的存储单元技术还可以支持将来的20nm和10nm工艺技术。
   
　　研究人员发现对FeFET存储单元加载10μs、6V的高速低压脉冲时，也完全可以辨别对应两种存储状态的阈值电压。根据数据写入后、删除后及干扰写入后的数据保存特性，表明该FeFET有望实现10年的数据保存期。加载1亿次10μs、6V的写入及删除电压脉冲以后，阈值电压未出现大幅变化，从而证明其具有1亿次以上的耐擦写能力。由于该Fe-NAND闪存中不存在浮遊栅，因此邻接存储单元间不会产生容量耦合噪音。综合以上试验结果，得出30nm工艺以后的20nm及10nm工艺的高集成非易失性存储器能够实现的结论。
   
　　今后将进一步开发FeFET微细化和集成化技术。另外，还将着手从事Fe-NAND闪存阵列的电路设计和制作，用以验证FeFET的工作状态。
   
　　业界人士认为，这项技术在闪存的发展历程中将产生巨大的影响，尤其是对于固态硬盘（SSD）的应用前景投注了新的希望。