据国外媒体报道，上周四，芯片巨头英特尔(Intel)与美光(Micron)科技公司宣称，未来二者将共同开发基于34纳米技术的32Gb NAND闪存芯片。分析人士认为，这一芯片产品问世将使大容量固态硬盘（SSD）的价格进一步下降。

　　英特尔公司表示，新款闪存芯片将采用300毫米晶圆片制造，是目前最先进的闪存芯片制造技术，其将能为电子产品提供达1.6TB的容量。英特尔官员称这种芯片是目前最小的NAND产品，为未来生产小型电子产品所需的高容量低成本固态存储器铺平了道路。   

　　英特尔表示，这一产品原型将在今年6月推出，预计实现量产要等到下半年。

　　三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、海力士(Hynix)三大阵营下一代NAND 闪存技术均由40纳米工艺切入，三星和东芝分别为42纳米和43纳米工艺，海力士为48纳米工艺，只有英特尔和美光阵营选择由40纳米工艺以下切入，展现后来居上的气势，通过较低成本结构，全力攻占NAND 闪存市场。

　　这种多层芯片是由英特尔和美光的合资企业IM Flash Technologies生产的。今年2月，合作双方发布了其高速NAND技术，据说数据传输率是传统NAND技术的5倍。英特尔和美光表示，合资公司计划从2008年底开始投产低容量的多层芯片产品，其中包括一种单层芯片设备。

　　英特尔NAND产品部门市场营销主管PeteHanzen表示，英特尔将在未来的产品中使用这一芯片，但尚未透露具体细节。早在今年3月份，英特尔曾表示将在2008年中期推出1.8英寸和2.5英寸的固态硬盘，用于其存储容量在（80～160）GB的笔记本电脑。

　　据英特尔官员讲，新款34纳米NAND闪存芯片会使现有256GB固态硬盘的存储容量翻一番。三星在上周发布了一款256GB的固态硬盘，并计划于今年晚些时候用于笔记本电脑产品中。

　　分析人士预计，随着固态硬盘价格的下滑，未来数月内固态硬盘在企业中的普及将呈加速趋势。与传统硬盘相比，尽管固态硬盘在能耗和数据读写速度方面有优势，但其可靠性却遭到质疑。