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  • 场效应管(mosfet)参数符号意义
    http://www.ic72.com 发布时间:2008/5/28 8:47:01
      Cds---漏-源电容
      Cdu---漏-衬底电容
      Cgd---栅-源电容
      Cgs---漏-源电容
      Ciss---栅短路共源输入电容
      Coss---栅短路共源输出电容
      Crss---栅短路共源反向传输电容
      D---占空比(占空系数,外电路参数)
      di/dt---电流上升率(外电路参数)
      dv/dt---电压上升率(外电路参数)
      ID---漏极电流(直流)
      IDM---漏极脉冲电流
      ID(on)---通态漏极电流
      IDQ---静态漏极电流(射频功率管)
      IDS---漏源电流
      IDSM---最大漏源电流
      IDSS---栅-源短路时,漏极电流
      IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)
      IG---栅极电流(直流)
      IGF---正向栅电流
      IGR---反向栅电流
      IGDO---源极开路时,截止栅电流
      IGSO---漏极开路时,截止栅电流
      IGM---栅极脉冲电流
      IGP---栅极峰值电流
      IF---二极管正向电流
      IGSS---漏极短路时截止栅电流
      IDSS1---对管第一管漏源饱和电流
      IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
      Iu---衬底电流
      Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)
      gfs---正向跨导
      Gp---功率增益
      Gps---共源极中和高频功率增益
      GpG---共栅极中和高频功率增益
      GPD---共漏极中和高频功率增益
      ggd---栅漏电导
      gds---漏源电导
      K---失调电压温度系数
      Ku---传输系数
      L---负载电感(外电路参数)
      LD---漏极电感
      Ls---源极电感
      rDS---漏源电阻
      rDS(on)---漏源通态电阻
      rDS(of)---漏源断态电阻
      rGD---栅漏电阻
      rGS---栅源电阻
      Rg---栅极外接电阻(外电路参数)
      RL---负载电阻(外电路参数)
      R(th)jc---结壳热阻
      R(th)ja---结环热阻
      PD---漏极耗散功率
      PDM---漏极最大允许耗散功率
      PIN--输入功率
      POUT---输出功率
      PPK---脉冲功率峰值(外电路参数)
      to(on)---开通延迟时间
      td(off)---关断延迟时间
      ti---上升时间
      ton---开通时间
      toff---关断时间
      tf---下降时间
      trr---反向恢复时间
      Tj---结温
      Tjm---最大允许结温
      Ta---环境温度
      Tc---管壳温度
      Tstg---贮成温度
      VDS---漏源电压(直流)
      VGS---栅源电压(直流)
      VGSF--正向栅源电压(直流)
      VGSR---反向栅源电压(直流)
      VDD---漏极(直流)电源电压(外电路参数)
      VGG---栅极(直流)电源电压(外电路参数)
      Vss---源极(直流)电源电压(外电路参数)
      VGS(th)---开启电压或阀电压
      V(BR)DSS---漏源击穿电压
      V(BR)GSS---漏源短路时栅源击穿电压
      VDS(on)---漏源通态电压
      VDS(sat)---漏源饱和电压
      VGD---栅漏电压(直流)
      Vsu---源衬底电压(直流)
      VDu---漏衬底电压(直流)
      VGu---栅衬底电压(直流)
      Zo---驱动源内阻
      η---漏极效率(射频功率管)
      Vn---噪声电压
      aID---漏极电流温度系数
      ards---漏源电阻温度系数



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