2007年1月初，英特尔内部率先研制出世界第一款45nm制造工艺处理器。2007年9月18日，英特尔在旧金山IDF宣布试制成功了32nm制造工艺的300毫米晶圆。进入08年，英特尔已经基本完成45nm制造工艺战略部署。 首款基于45nm制造工艺设计的Penryn核心处理器获得了750项以上的设计成果。

　　45nm制造工艺处理器采用的高-K金属栅极技术，它以全新的铪基氧化物为新的晶体管材料,这些先进技术的应用，无疑将为最终用户提供更高能效，且宜于环保长久发展的高科技产品。相比65nm制造工艺处理器，采用英特尔45nm制造工艺生产的处理器密度再次增加，其在相同的芯片空间内增加了接近两倍数量的晶体管。双核心架构产品达到4.1亿的晶体管数量，而四核心架构产品则达到了8.2亿的晶体管数量。45nm和高k处理器制造工艺的实现，堪称半导体行业40年来取得革命性的突破，晶体管切换速度提升效能达20%以上，使得直接导致功耗居高不下的晶体管门漏电率降低超过10倍。    

　　英特尔继续依托其“Tick-Tock”策略，已经将企业、桌面、移动平台主流处理器制造工艺提升至45nm(纳米)。英特尔在“Tick-Tock”策略的推动下，将继续成为业界先进处理器厂商的领头羊。