据化合物半导体与光电技术网站报道，Yole Developpement预测，到2012年GaN、蓝宝石和GaAs衬底市场雄厚，化合物半导体的发展大大将削弱硅在整个晶片领域的地位。

　　在三月发布的“化合物半导体材料报告中”，Yole表示，化合物衬底在晶片半导体的总占有率从2005年的0.53%上升至去年的64%。该公司同时指出，低成本和大面积的衬底有助于进一步提高其市场占有率，到2012年将上升至0.84%。

　　LED市场是蓝宝石衬底增长趋势的典型代表，蓝宝石从2寸直接升级至4寸。至2012年，蓝宝石衬底的销售额将以20%的速度逐年递增。蓝宝石用于GaN LED的生长，使得化合物半导体市场的总占有率从2005年的0.27%提高至0.32%。

　　包括半导体和半绝缘材料在内，GaAs衬底市场的销售额增长率有些降低，达到10%。然而，蜂窝电话功率放大器对半绝缘GaAs衬底的需求，使得GaAs衬底占去年半导体衬底市场0.64%的份额，所以，10%增长率的威力还是不可小觑。其中，Freiberger、Sumitomo Electric、和Hitachi able是前三位GaAs衬底供应商，而前六或前七大芯片制造商绝大多数正在使用6寸的半绝缘GaAs衬底。

　　GaN衬底价格昂贵，但吸引越来越多的应用市场。GaN是整个半导体衬底市场年增长率最高的一项，为125%，目前的市场占有率为0.1%。

　　InP和SiC衬底还是化合物市场的小份额。而针对功率和射频器件应用的SiC衬底将在现有面积上百万平方英寸的基础上每年以35%的速度增长着。然而，衬底供应商不断增多，他们将通过供应越来越便宜的衬底来改变上述格局。