日前，瑞士Numonyx BV表示计划把DRAM生产从现有供应商转移给海力士(Hynix Semiconductor)公司和茂德(ProMOS Technologies Inc.)。该行动是公司策略的一部分，将多技术多层内存子系统打入嵌入式设备和无线手机领域。

　　Numonyx首席技术官Ed Doller表示，对于任何进入嵌入式闪存市场的供应商来说，具备增加各类RAM的能力至关重要，可以通过内存晶圆代工厂商或者与一家主要DRAM公司建立合作关系。

　　一直以来，DRAM和闪存制造商之间都在抢夺主要的手机厂商客户，通常当IDM能制造两种内存类型时可以获得优势。Doller表示，“RAM存储策略非常需要，经常的选择来自NOR-RAM堆栈和NAND-RAM堆栈。竞争的唯一方式是在市场价格之下获得RAM。”

　　Doller补充，Numonyx与Hynix在中国无锡建有合资企业，同时生产DRAM和NAND闪存。

　　Doller说，Numonyx也继承其母公司意法半导体的独家DRAM设计。“意法设计低密度pseudo-static RAM和同步DRAM。我们将采用茂德代工制造。”他补充到，“我们计划把RAM迁移到Hynix和茂德。”但是Doller拒绝披露生产将转移到何处。