韩国海力士半导体（Hynix Semiconductor）4月2日宣布，与新一代内存“STT-RAM（Spin-Transfer Torque RAM）”的技术开发商美国Grandis签订了STT-RAM技术授权及共同开发协议。根据此次的协议，海力士将从Grandis获得STT-RAM技术授权，今后两公司的研究人员将在产品开发领域进行合作。

　　海力士是首家与主导STT-RAM开发领域的Grandis签订技术导入及共同技术开发协议的韩国厂商。通过此次的协议，可确保海力士尽快掌握新一代内存技术、并提高今后领先于市场的可能性。另外，通过与PRAM和ZRAM等一起构筑起多样化的新一代内存技术，还可进一步确保灵活性，以应对市场主导产品的变化。