“飞兆半导体是专业提供可提升能效的高性能半导体产品的全球领导者。”在“慕尼黑上海电子展”期间举行的新闻发布会上，飞兆半导体公司企业市场总监Claudia Innes开门见山地强调了飞兆半导体在全球节能领域的地位。
飞兆半导体在功率半导体产品设计、制造和封装等领域均拥有专有技术和丰富的经验，其功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)、IGBT、整流器及智能功率模块等诸多产品为电子行业提供了节能的创新途径。
2007年，飞兆半导体所服务的市场容量达到了335亿美元，公司的总销售收入为17亿美元。据Claudia Innes透露，目前亚太地区是飞兆半导体战略重心所在，2007年亚太地区(包括日本和韩国)的销售收入占该公司总销售收入的75%，而在中国内地的销售收入则超过了总收入的25%。
FGA20N120FTD和FGA15N120FTD是飞兆半导体在本届慕尼黑上海电子展期间推出的全新1200V场截止沟道IGBT系列器件，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用场截止结构和抗雪崩的沟道栅技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。与传统的NPT(非穿透型)沟道IGBT器件相比，FGA20N120FTD可减小25%的导通损耗、8%的开关损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性将得以增强，系统总成本将减小。这些器件还内置了专为零电压开关(ZVS)技术而优化的快速恢复二极管(FRD)，减少了所需的元件数量。由此可见，飞兆半导体新推出的IGBT器件在功耗、可靠性和器件尺寸等方面都得到了优化。
在本届电子展上，飞兆半导体还展示了一款智能功率模块——FPP06R001。该器件是高度集成的同步整流器模块，可提高系统的电源|稳压器效率以满足能源之星标准的严格要求；同时，该器件在紧凑的传递模塑封装中集成了两个PowerTrench MOSFET和1个大电流栅极驱动器，能够简化电路板设计，省去10个分立元件，并减少板上占用空间达20%；与分立式解决方案比较，还可降低10%的导通阻抗和16%的杂散电感，从而减小热耗散和电压应力。FPP06R001的高效性有助于电源设计满足下一代能源之星标准的要求，即规定电源在正常输出负载条件下必须达到85%或更高的效率。
