美国伊利诺大学（University of Illinois）、美国西北大学（Northwestern University）和新加坡高性能计算研究院（Institute of High Performance Computing）联合开发出了以可弯曲、可伸缩Si为基础的IC制造技术。有关论文已刊登在《科学》（Science）的网络版“ScienceXpress”2008年3月27日刊上。

　　伊利诺大学开发的是具有波状弯曲柔性底板的IC制造技术。晶体管本身由单晶Si制成。由于底板弯曲成细微的波状，因此能够应付弯折和拉伸等外力。目前，伊大已经利用这项技术，试制了含有振荡器、逻辑电路以及增幅电路的IC，经确认，其性能不亚于利用Si晶圆制造的具有相同电路构造的IC（图1，图2）。

　　该IC制造方法的步骤如下：（1）在Si晶圆或其他坚硬的芯片底板上形成树脂层；（2）在该树脂层上叠加实际形成底板的树脂薄层；（3）在该树脂底板上，形成由单晶Si组成的“纳米带”。在纳米带上制作晶体管；（4）用化学方法融化最初形成的树脂层，去除整个硬底板除；（5）把由树脂底板及其之上的电路构成的薄层粘贴在事先略微拉伸的硅橡胶上；（6）硅橡胶形状复原时，就会向电路薄层施加应力，形成波状凹凸。柔性底板及其之上的电路组成的复合薄层的厚度不到1μm。

　　“几乎任何规模的电路都能通过该方法制成可弯曲的IC”（伊利诺大学材料科学及工程学教授John Rogers）。