日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列中的首款器件，该器件具有破纪录的导通电阻规格及导通电阻与栅极电荷乘积。

　　新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK® SO-8 封装的 n 通道器件，在 4.5V 栅极驱动电压时具有 2.25 毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对 MOSFET 的关键优值 (FOM)，该值为 98，是任何采用 SO-8 封装的 VDS= 30V、VGS= 20 V 器件的新业界标准。与分别为实现低导通损失及低开关损失而优化的最接近竞争器件相比，这些代表了市场上最佳的现有规格。更低的导通电阻及更低的栅极电荷分别可转变成更低的传导损失及更低的开关损失。

　　Vishay Siliconix Si7192DP 将在同步降压转换器以及二级同步整流及 OR-ing 应用中作为低端 MOSFET。其低导通及开关损失将使电源|稳压器模块 (VRM)、服务器及使用负载点 (POL) 功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。 

　　Siliconix 是业界率先推出 Trench 功率 MOSFET 的供应商。该公司的 TrenchFET IP 包含众多专利，其中包括可追溯到 20 世纪 80 年代的基本技术专利。每种新一代 TrenchFET 技术均可在众多计算、通信、消费类电子及许多其他应用中满足对更高功率 MOSFET 性能产品的需求。

　　目前，Si7192DP 控制器的样品和量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 10～12 周。