海士力半导体公司董事长金钟甲28日表示，海士力公司08年在DRAM领域将追上三星电子，完全消除二者的技术差距。

　　海士力公司董事长金钟甲28日在股东大会上做出上述表示，他向与会的各位股东阐述了海士力公司的长期目标和战略，他说，“海士力公司正在推进54纳米DRAM的生产准备计划，并将于今年完全消除同该行业排名第一的企业（指三星电子）之间的技术差距。”海士力公司将于08年第三季度开始生产54纳米DRAM，三星电子将于08年第二季度开始生产56纳米DRAM。海士力公司曾经在80纳米DRAM的技术方面落后于三星电子，今年批量生的的54纳米DRAM将消除海士力与三星公司的差距，金钟甲社长对此充满了信心。

　　与此同时，海士力公司决定逐步停止通用半导体200毫米晶圆的生产，在2012年之前将300毫米晶圆的生产比例提高到95%。海士利公司目前在京畿道的利川，忠清北道的清州，以及中国的工厂生产晶圆，有三条300毫米晶圆生产线，五条200毫米晶圆生产线。金钟甲董事长指出，为了提高收益将提高移动DRAM的生产，07年海士利公司移动DRAM占销售总额的1%，今年要将这一比例提高到3%至9%。

　　市场人士预计，DRAM的价格将在08年第三季度反弹，NAND型闪存的价格也将在同期有所回升。下半年DRAM供给过剩的状态将不复存在，NAND型闪存的供求平衡也将会被打破。