Vishay推出新型第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列的首款器件。该器件具有破纪录的导通电阻性能和导通电阻与栅极电荷乘积指标。

　　新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK SO-8 封装的 N 沟道器件，在 4.5V 栅极驱动电压下具有 2.25 毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是 DC-DC 转换器应用中 MOSFET 的关键优值系数（FOM），Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值为 98 --- 创造了任何采用 SO-8 封装的 VDS = 30V、VGS = 20 V 器件的新的业界纪录。与分别为实现低导通损耗和低开关损耗而优化的最接近的竞争器件相比，Vishay的新器件代表了最佳的可用规格。更低的导通电阻及更低的栅极电荷意味着更低的导通损耗和更低的开关损耗。

　　Vishay Siliconix Si7192DP 将作为同步降压式转换器及次级同步整流和 OR-ing 应用中的低端 MOSFET，其低导通及低开关损耗将有助于电源|稳压器模块（VRM）、服务器及采用负载点（POL） 功率转换器的众多系统实现更高功效且更节省空间的设计。

　　Siliconix 创建于 1962 年，是率先推出沟道功率 MOSFET 的供应商，并于 1996 年成为 Vishay 的子公司。该公司的 TrenchFET IP 包含众多专利，其中包括可追溯到 20 世纪 80 年代初的基础技术专利。每种新一代 TrenchFET 技术均可满足各种计算、通信、消费类电子及许多其他应用对更高功率 MOSFET 性能的需求。

　　目前，Si7192DP 已开始提供样品和批量生产，大宗订单的交货周期为 10 至 12 周。