瑞萨科技投产了低功耗64Mbit SRAM“R1WV6416R系列”和低功耗32Mbit SRAM“R1LV3216R系列”。两系列均采用融合了SRAM单元和DRAM电容器,称为“Advanced LPSRAM”的自主开发存储器单元。特点是软件错误少、不会产生闩锁效应(Latch-up)且单元面积小。电源|稳压器电压为2.7~3.6V。访问时间为55ns或70ns。3.0V工作时的待机电流方面,64Mbit产品为8μA,32Mbit产品为4μA。分别备有封装、访问时间、使用温度范围不同的12种64Mbit产品及8种32Mbit产品。面向产业设备、OA及消费类电子产品等。
将64Mbit的R1WV6416R和32Mbit的R1LV3216R层叠起来制成一个封装。由此实现了低功耗SRAM的大容量化。另外,与使用多个低功耗SRAM相比,可节省空间。
封装分别采用48管脚TSOP和52管脚μTSOP。64Mbit产品还备有48管脚的FBGA封装。新产品与该公司原来的16Mbit产品,采用TSOP和μTSOP时外形相同,采用FBGA时管脚配置相同,因此具有兼容性。32Mbit产品从2008年4月开始样品供货,64Mbit产品从08年7月开始样品供货。