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  • Vishay发布新系列半桥IGBT模块,包含八个600V及1200V器件
    http://www.ic72.com 发布时间:2008/3/25 14:25:00

      Vishay宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该系列由八个600V及1200V器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。

      日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同IGBT技术。GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF采用标准穿通(PT) IGBT技术,而GA200TS60UPbF,GA75TS120UPbF及GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第4代技术。

      GB100TS60NPbF,GB150TS60NPbF及GB200TS60NPbF模块采用第5代非穿通(NPT)技术,可实现10μs短路功能的额外优势。

      该GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF是专为高达1kHz硬开关工作频率而优化的标准速度器件。其他六个IGBT是与用于桥配置的HEXFRED超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块。这些超快速器件可在硬开关中实现8kHz~60kHz的高工作频率,在共振模式下可实现200kHz以上的工作频率。

      Vishay新型IGBT系列具有75A~200A的高额定电流及低功耗,该系列器件专为高频工业焊接、UPS、SMPS、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。对于输出逆变器TIG焊机应用,这些IGBT在额定电流时提供了当前市场上“S”系列模块中最低的Vce(on) .

      这些新型IGBT无铅(Pb),并且可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低EMI,可减少缓冲,并可提供超低的结到外壳热阻。


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