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  • 凌力尔特推出LTC4443/-1高速同步MOSFET驱动器
    http://www.ic72.com 发布时间:2008/3/24 9:06:00

      凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4443/-1,该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特公司众多 DC/DC 控制器之一相结合,可形成一个完整的高效率同步电源|稳压器|稳压器,以用作降压或升压型 DC/DC 转换器。

      这个强大的驱动器可以吸收高达 5A 的电流并提供高达 2.4A 的电流,从而非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4443/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动 3000pF 负载时,快速 12ns 上升时间和 8ns 下降时间最大限度减小了开关损耗。该器件还集成了自适应贯通保护,以防止高端和低端 MOSFET 同时导通,并最大限度缩短死区时间。该器件含有集成的自举肖特基二极管,可简化电路。

      LTC4443/-1 包括一个三态 PWM 输入以用于电源级停机,该输入与所有具三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件还有一个单独的电源,供输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,而且在驱动器和逻辑电源端都有欠压闭锁电路。此外,该器件在 6V 至 9.5V 范围驱动高端和低端 MOSFET 的栅极,并在电源电压高达 38V 时工作。“-1”版本具有较高的 6.2V VCC 欠压闭锁,而不是 3.2V,以用来驱动标准 5V 逻辑 N 沟道 MOSFET。

        LTC4443EDD 和 LTC4443EDD-1 都采用 3mm x 3mm DFN-12 封装,以 1,000 片为单位批量购买,每片价格为 1.35 美元。LTC4443IDD 和 LTC4443IDD-1 经过测试,保证在 -40℃ 至 85℃ 的工作温度范围内工作,千片批购价为 1.50 美元。

      性能概要:LTC4443/-1

      *同步 N 沟道 MOSFET 驱动器

      *大驱动电流: 提供 2.4A,吸收 5A

      *自适应贯通保护

      *驱动 3000pF 负载时高端栅极下降时间为 8ns

      *驱动 3000pF 负载时高端栅极上升时间为 12ns

      *三态 PWM 输入用于电源级停机

      *集成自举肖特基二极管

      *最高电源电压为 38V

      *栅极驱动电压为 6V 至 9.5V

      *LTC4443 的 UVLO 为 3.2V

      *LTC4443-1 的 UVLO 为 6.2V


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