去年传的沸沸扬扬的台积电进军NAND闪存制造市场消息,终于在日前获得证实!美国闪存大厂SanDisk于二月底分析师论坛(AnalystDay)中,指出其采用3D架构的单次可编程(OneTimeProgrammable,OTP)NAND芯片,已完成台积电80nm认证,双方也已就45nm制程进行研发合作。
台积电跨足NAND闪存制造消息,早已不是新鲜事,但是自从此一消息开始在市场上流传,市场多将焦点锁定在已宣布的Spansion合作案上,尤其去年飞索半导体主管也多次表示,与台积电间的合作将延伸至40nm,也将委由台积电代工NAND规格的65nmORNAND芯片,也让市场以为台积电抢进NAND代工市场的策略,只是单纯为Spansion代工。
不过,美商SanDisk在二月底的分析师论坛中,针对未来NAND规格及技术发展趋势议题进行讨论时,SanDisk除了表示将投入更多资金在3D制程的NAND芯片开发外,也宣布其3D架构OTP芯片已完成台积电80nm认证,次世代45nm制程也将合作开发。台积电多次表示闪存市场会NOR及NAND均有所布局的说法,总算获得证实。
SanDisk于2005年10月宣布以2亿3千800万美元价格并购Matrix半导体,取得3D架构的OTP芯片技术,核心是采用多层的反熔丝(antifuse)架构的一次写入式唯独内存(ROM)。SanDisk利用这项3D架构推出了OTP内存芯片,设计上与NAND完全兼容,非常适合快速成长与商机庞大的消费性电子产品市场,例如影片、音乐、游戏等,已有许多数字内容与嵌入式储存(EmbeddedStorage)业者采用,且因为这颗芯片已被市场认为将取代传统的罩幕式内存(MaskROM),市场估目前月出货量已达数百万颗。
虽然内存占台积电营收比重仍不高,今年全年比重仍低于10%,但是包括SanDisk、Spansion等客户,采用制程已达65nm及45nm米世代,每批次下单量也都达万片12寸晶圆规模,所以仍是台积电今年重视的产品线之一。业内人士指出,今年台积电大砍资本支出,营收要达到15%至20%的年增率目标的确充满挑战,但是在整个晶圆代工市场产能仍过剩的压力下,内存确实也成为台积电在淡季期间填补产能的最佳秘密武器。