近日AMD称与合作伙伴IBM宣称，首次利用EUV光刻技术制造出一颗45nm工艺试验性芯片。

　　这颗芯片使用的是全场(Full-Field)超紫外(EUV)光刻技术，尺寸为22×33mm。此前使用EUV技术生产的芯片部件都是窄场(Narrow-Field)的，只设计整个芯片的一部分，而AMD和IBM将其延伸到了芯片上的全部区域，整个第一层金属互联层都使用了这种技术。

　　AMD是在德国德累斯顿Fab 36晶圆厂使用193nm沉浸式光刻技术制造这颗芯片的，随后将其运往IBM在纽约首府奥尔巴尼纳米科学与工程学院的研究工厂，使用荷兰光刻设备供应商ASML Holding NV的一台13.5nm EUV设备光刻芯片晶体管之间的第一层金属互联层，最终完成了这颗芯片。

　　最近二十年来，业界一直认为EUV平版印刷术是最有希望的下一代微芯片生产工艺。早在1997年，Intel、AMD、摩托罗拉就联合成立了一家名为“EUV Limited Liability Corporation”的公司，试图在100nm工艺水平上取代深紫外线(DUV)，但后者近来不断进步，已经可以在45nm工艺上大规模量产了，并普遍被认为能延续到22nm。

　　当然，DUV技术早晚都会走到尽头，向EUV的转换可能会出现在16nm工艺上，时间大概是2013年左右。

　　AMD称，要想将EUV光刻投入实际生产，必须将这种技术扩展到整个微处理器的所有关键层上，而不仅限于金属互联层。AMD认为，EUV光刻必须在2016年之前获得投产认证，因为届时将到达22nm工艺极限。