飞思卡尔半导体为环境苛刻的应用，如军事、航空航天、工业和汽车系统等提供非易失性存储技术。Angstrom Aerospace最近宣布在其磁力计子系统中使用飞思卡尔的温度范围更大的4Mbit，该系统将被搭载在日本的一颗研究卫星发射进入太空。
Angstrom Aerospace在其Tohoku-AAC MEMS Unit (TAMU)中使用飞思卡尔的 MRAM，TAMU是被称为SpriteSat的日本研究卫星的磁力计子系统。在开发卫星子系统的过程中，Angstrom Aerospace与瑞典皇家技术学院材料物理与应用自旋电子的知名教授Johan Akerman博士通力合作。
“我从事MRAM工作多年，在数据存储的可靠性和持久性方面，同类产品无法与飞思卡尔的MRAM产品相比，” Johan Akerman博士说，“飞思卡尔的4mbit MRAM器件取代了SpriteSat的Angstrom模块中的闪存和以电池为电源|稳压器的SRAM。能够在卫星研发工作的不同阶段重新配置关键程序和路线定义，这是一项非常了不起的优势。
AMU计划为SpriteSat 提供地球磁场的磁强计数据。SpriteSat项目由Kazuya Yoshida教授领导，在位于日本仙台的Tohoku大学兴建。计划于2008年底升空的SpriteSat的任务是监视地球上层大气中的“sprite” 现象（闪电效应）。
Angstrom Aerospace之所以选择飞思卡尔的4Mbit MRAM器件，是因为它集合了众多优点，如非易失性内存、扩展的温度操作、耐力持久以及长时间数据保留（即使在断电的情况下）。MRAM能够在一块内存上保存程序数据和FPGA配置数据，让Angstrom Aerospace将所有存储需求缩减到一个芯片上，从而降低了主板区域。同时，MRAM存储的灵活性也使得系统能够在太空中进行重新配置。
“MRAM温度范围的扩大为恶劣环境中的系统设计（如TAMU）提供了独特的高温和高可靠性，”飞思卡尔MRAM产品经理David Bondurant表示，“MRAM的优势还延伸到运输和工业市场，在这一领域，飞思卡尔正在与那些需要大量快速且经济高效的内存的开发人员合作，这些内存是非常理想的非易失性内存，可进行大量读写循环。”
非易失性 RAM市场增长强劲
除了Angstrom Aerospace的MRAM部署外，航空航天和国防领域内的一些世界领先OEM的专业组件设计、开发和制造商e2v也宣布使用飞思卡尔的MR2A16A 产品。该公司已经发布了一个可靠性扩展版本，该版本在整个军事温度范围都能以百分百的性能水平操作，可以很好地满足航空电子、国防和航空航天应用的要求。
2003年，飞思卡尔向一些特定客户展示了4mbit MRAM芯片。同年，霍尼韦尔公司签署协议，许可MRAM技术在军事和航天应用中使用，直到今天，他们继续围绕这一技术构建产品。
2006年，飞思卡尔发布了MR2A16A 4Mbit 产品，这是世界上的第一款商用MRAM器件。由于很多顾客都在寻求用一粒单片取代闪存、SRAM和EEPROM的替代方案，消除SRAM的电池备份，飞思卡尔的MRAM产品已迅速成为首选解决方案。它们提供了在苛刻环境中顺利完成这一任务所需的耐力、速度和可靠性。
