随着日本宇宙航空研究开发机构的卫星SpriteSat的发射，MRAM技术正逐步步入卫星轨道。

　　在这个日本研究卫星上，Angstrom航天总公司（瑞典）的基于微机电系统（MEMS）的磁强计将使用MRAM代替静态RAM和闪存。

　　“MRAM在SpriteSat里Angstrom的模块代替了闪存和电池支持的SRAM，”皇家技术学院材料和自旋电子的专家Johan Akerman说。“在卫星飞行的不同阶段MRAM能够重新配置重要程序以及路线定义。”　

　　工程师检查SpriteSat上Angstrom航空航天的基于MRAM的磁强计分系统，而这个卫星是在日本宇宙航空研究开发机构即将发射的。

　　在20世纪90年代，MRAM设想作为不同类型存储的替代，从RAM到硬盘。因为它是固态的，MRAM超越了硬盘的自旋机制。此外，由于单独位可擦除和重写无数次，MRAM超越了闪存，闪存只能被擦除和大规模重写少于100万次，然后其位开始失效。MRAM也是不挥发的。

　　尽管有这些优势，MRAM尚未完全履行其承诺。因为随着MRAM的开发不断的出现问题，甚至最高密度的MRAM芯片，如飞思卡尔的MR2A16A ，在消耗20美元的单位成本只能存储4 Mbits的数据，而闪存密度是5元4Gbit。在如军工、航天等应用， MRAM开始取代其他类型的存储。

　　Angstrom航空航天在其卫星分系统正在专门使用MRAM。 MRAM将保存程序数据，以及其现场可编程门阵列的配置位。此外，MRAM相对简单的再编程性将允许程序代码和FPGA通过上传新的记忆图像到MRAM从头调整。

　　Angstrom航空航天分系统，即将在2008年下半年与SpriteSat一块发射，这是一个复杂的磁力计，可以随着卫星的轨道监测地球磁场。SpriteSat的总任务就是研究"sprites"——可见光效应——在最外层大气层。

　　另外，e2v'Technologies PLC宣布正在测试飞思卡尔半导体的MR2A16A MRAM为了使其符合军用规格的温度范围-55摄氏度到125摄氏度。飞思卡尔目前MRAM 的温度在-40摄氏度到105摄氏度。