AIXTRON近日宣布参与一个新型半导体研究项目，项目名为“22nm以下节点高性能逻辑器件的双道CMOS（DUALLOGIC）”，此项目将有利于扩大锗和三五族化合物半导体在CMOS电路中的优势，项目开始于去年，为期三年。

　　该项目交由希腊国家特种超细粉体工程技术研究中心（NCSR）领导，参与DUALLOGIC研究项目的成员除AIXTRON公司之外，还包括了欧洲领先的芯片公司和研究所，比如IMEC、纽约的恩智浦半导体、比利时的鲁汶大学、法国原子能委员会、意法半导体、英国格拉斯哥大学和IBM Research GmbH。

　　具体来说，项目旨在开发一种双沟道CMOS技术，将高沟道迁移率的Ge pMOS和三五族化合物半导体nMOS晶体官一起集成到一块基于硅的衬底上，该衬底也有同样负责的结构。这将为预期的22nm提供一个提高性能的可行方法，同时为欧洲纳米电子产业提供了一个颇具竞争性的优势。

　　原子能委员会的Athanasios DIMOULAS博士表示，DUALLOGIC项目调动了欧洲主流的技术开发实验室以及IT、半导体产业领先的厂商以及重要的半导体设备制造商，成为助长欧洲制造业和知识产权的催化剂。AIXTRON公司研发部副总裁Michael Heuken表示，此次AIXTRON的任务是提供一个制造三五族器件的集束性设备（cluster tool），它将安置在IMEC位于比利时的洁净室内。届时，AIXTRON的研究人员将与IMEC合作，分别利用各自在器件和工艺方面的宝贵经验从而获得完美的工艺集成。