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  • Vishay推出第5代高性能100-V Schottky二极管系列
    http://www.ic72.com 发布时间:2008/2/14 10:24:00

        Vishay推出适用于高温应用的新型高性能 Schottky 二极管第 5 代硅平台,以及具有低正向压降、低反向漏电流和较高的最大结温的8款新型器件。

        Vishay 新型 Schottky 二极管系列采用亚微米沟槽技术,最大结温为 +175°C,适用于汽车及其它高温应用。器件采用符合 RoHS 的小型封装,以改善成本能耗比,并提供反向偏置安全运行区 (RBSOA),以满足严格、极具成本效益的设计要求。击穿电压较高且稳定 (>115 V),以提供电压抑制,优化功率密度,与前几代产品相比,该二极管系列的功率密度提升了 30%。即使如此,新型器件价格还最多可比 Vishay 3.1 代和 2.0 代平面型器件便宜 10%。

        新型二极管适用于交流至直流、次级整流、反激式、降压和升压转换器、半桥、反向电池保护、续流、D 型放大器和直流至直流模块应用。一般终端产品包括高功率密度 SMPS、台式 PC 适配器、服务器、汽车驱动器和控制装置、电信网络、PDP、LCD 和高效音频系统等消费类电子,以及笔记本、移动电话和便携式媒体播放器等移动电子设备。

        新型器件典型正向压降极低,范围由 0.55 V(电流为 8 A)至 0.61 V(电流为 30 A),典型反向漏电流极小,温度为 125°C 时,范围由 1 mA 至 5.5 mA,且参数分布非常紧凑。上述器件坚固耐用,具有抗反向雪崩能力,雪崩时部件可得到完全屏蔽,且开关损耗极小。

    ic72新闻中心

        目前,第 5 代新型 Schottky 二极管系列样品和量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 8 至 10 周。

    ic72新闻中心


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