集成了IRS20124S高压集成电路的参考设计具有内部可选死区时间发生电路，可以防止噪声和电源电压波动，有助于在60W、4Ω的情况下实现0.01%的总谐波失真（THD），而在120W、4Ω单通道可实现94%的效率。此外，该集成电路还内置了双电流感测和集成的关断功能，在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出MOSFET。
IRAUDAMP3的占板面积为4.5平方英寸，也采用了IRF6645 DirectFET 功率MOSFET。创新的DirectFET封装技术通过降低引线电感提高了开关性能，并降低了EMI噪声，从而提高了D类音频放大器电路的性能。其较高的热性能有助于实现4Ω阻抗下的120W运行，而无需使用散热器，这样不仅缩小了电路尺寸，还为设计师作电路布局提供了更大的灵活性，降低了放大器系统的总体成本。
